Background impurities in Si0.8 Ge0.2/Si/Si0.8 Ge0.2 n-type delta-doped QW

Resultado de la investigación: Contribución a una revistaArtículoInvestigaciónrevisión exhaustiva

Idioma originalInglés
Páginas (desde-hasta)464 - 469, 
PublicaciónPhysica Status Solidi B-Basic Research
Volumen254
DOI
EstadoPublicada - 1 ene 2016

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Background impurities in Si0.8 Ge0.2/Si/Si0.8 Ge0.2 n-type delta-doped QW. / Akimov, Volodymyr.

En: Physica Status Solidi B-Basic Research, Vol. 254, 01.01.2016, p. 464 - 469, .

Resultado de la investigación: Contribución a una revistaArtículoInvestigaciónrevisión exhaustiva

TY - JOUR

T1 - Background impurities in Si0.8 Ge0.2/Si/Si0.8 Ge0.2 n-type delta-doped QW

AU - Akimov, Volodymyr

PY - 2016/1/1

Y1 - 2016/1/1

U2 - 10.1002/pssb.201600464 

DO - 10.1002/pssb.201600464 

M3 - Artículo

VL - 254

SP - 464 - 469, 

JO - Physica Status Solidi (B) Basic Research

JF - Physica Status Solidi (B) Basic Research

SN - 0370-1972

ER -